Rezumat articol ediţie STUDIA UNIVERSITATIS BABEŞ-BOLYAI

În partea de jos este prezentat rezumatul articolului selectat. Pentru revenire la cuprinsul ediţiei din care face parte acest articol, se accesează linkul din titlu. Pentru vizualizarea tuturor articolelor din arhivă la care este autor/coautor unul din autorii de mai jos, se accesează linkul din numele autorului.

 
       
         
    STUDIA CHEMIA - Ediţia nr.4(I) din 2009  
         
  Articol:   MECHANISTIC STUDY OF SE AND GE SEMICONDUCTORS ELECTRODEPOSITION.

Autori:  ADRIANA SAMIDE, BOGDAN TUTUNARU, MIRCEA PREDA. 		 
       
         
  Rezumat:  The electrodeposition and mechanism of nucleation of Se and Se-Ge films was studied in this work. The employed experimental techniques were potentiostatic polarization and chronoamperometry. The initial deposition of Se film by potentiostatic polarization shows that the crystallization potential of -0,40 V and corresponding densities linearly depends on the H2SeO3 concentration and potential scan rate. The simultaneous presence of both species in the bath composition produced a new peak at -0,50 V. The chronoamperometric study indicate a 3D complex mechanism for Se and Se-Ge electrodeposition. The morphological changes in surface of working electrode was analysed with an Euromex microscope.

Keywords: Semiconductors, Se and Se2Ge electrodeposition, nucleation mechanism
 
         
     
         
         
      Revenire la pagina precedentă